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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),三溫區(qū)CVD系統(tǒng),生長樣品腔的管徑60-120mm,它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統(tǒng)、機(jī)械泵、真空密封及測量系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)組成,極限真空度可達(dá) 10^-5 torr 。

主要特點(diǎn):

1,優(yōu)勢(shì)在于薄膜材料、低維納米材料等的制備(尤其適用于過渡金屬二維半導(dǎo)體材料的生長與原位摻雜,以及多元二維材料的生長)

2,可選配遠(yuǎn)程等離子射頻發(fā)生系統(tǒng),可用于薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長、刻蝕加工與材料表面修飾(尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長,缺陷調(diào)控,以及器件制作工藝中的殘膠去除)

3,生長工藝設(shè)計(jì)先進(jìn),能滿足襯底無催化生長

4,應(yīng)用案例(點(diǎn)擊跳轉(zhuǎn))

 

設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)

溫控參數(shù) 單位
溫度 1200
功率 6.5 kw
溫控精度 ±1
真空系統(tǒng)
真空泵 1 x 10-3 (7.5 x 10-4) mbar (Torr)
真空泵(開氣鎮(zhèn)) 1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) mbar (Torr)
真空泵(使用PEPE 油) 1 x 10-2(7.5 x 10-3) mbar (Torr)
腔體內(nèi)真空度 優(yōu)于2.0*10-2 Torr
流量控制參數(shù)
泄露率 <4×10-9 atm-cc/secHe
分辨率 全量程的0.1%
響應(yīng)時(shí)間氣特性 <2 s
響應(yīng)時(shí)間電特性 500 ms
尾氣吸收參數(shù)
材質(zhì) 殼體鋁合金、不銹鋼
吸氣腔 聚四氟乙烯
等離子體系統(tǒng)參數(shù)
功率輸出 5 – 300,5 – 500 W
信號(hào)頻率 13.56 ±0.005% MHz
反射功率 200 W
功率穩(wěn)定度 ±0.1%
諧波分量 ≤-50 dbc
供電電壓 187V – 253V —- 頻率50/60HZ

以上就是東莞市卓聚科技有限公司提供的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)的介紹,

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