等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),三溫區(qū)CVD系統(tǒng),生長樣品腔的管徑60-120mm,它是由高溫管式爐、多路高精度流量控制與供氣系統(tǒng)、機(jī)械泵、真空密封及測量系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)組成,極限真空度可達(dá) 10^-5 torr 。
主要特點(diǎn):
1,優(yōu)勢(shì)在于薄膜材料、低維納米材料等的制備(尤其適用于過渡金屬二維半導(dǎo)體材料的生長與原位摻雜,以及多元二維材料的生長)
2,可選配遠(yuǎn)程等離子射頻發(fā)生系統(tǒng),可用于薄膜材料、低維納米材料等的等離子體輔助生長、刻蝕加工與材料表面修飾(尤其適用于石墨烯、氮化硼等二維材料的無催化生長,缺陷調(diào)控,以及器件制作工藝中的殘膠去除)
3,生長工藝設(shè)計(jì)先進(jìn),能滿足襯底無催化生長
4,應(yīng)用案例(點(diǎn)擊跳轉(zhuǎn))
設(shè)備主要技術(shù)參數(shù)
溫控參數(shù) | 單位 | |
溫度 | 1200 | ℃ |
功率 | 6.5 | kw |
溫控精度 | ±1 | ℃ |
真空系統(tǒng) | ||
真空泵 | 1 x 10-3 (7.5 x 10-4) | mbar (Torr) |
真空泵(開氣鎮(zhèn)) | 1.5 x 10-2 (1.1 x 10-2) | mbar (Torr) |
真空泵(使用PEPE 油) | 1 x 10-2(7.5 x 10-3) | mbar (Torr) |
腔體內(nèi)真空度 | 優(yōu)于2.0*10-2 | Torr |
流量控制參數(shù) | ||
泄露率 | <4×10-9 | atm-cc/secHe |
分辨率 | 全量程的0.1% | |
響應(yīng)時(shí)間氣特性 | <2 | s |
響應(yīng)時(shí)間電特性 | 500 | ms |
尾氣吸收參數(shù) | ||
材質(zhì) | 殼體鋁合金、不銹鋼 | |
吸氣腔 | 聚四氟乙烯 | |
等離子體系統(tǒng)參數(shù) | ||
功率輸出 | 5 – 300,5 – 500 | W |
信號(hào)頻率 | 13.56 ±0.005% | MHz |
反射功率 | 200 | W |
功率穩(wěn)定度 | ±0.1% | |
諧波分量 | ≤-50 | dbc |
供電電壓 | 187V – 253V —- 頻率50/60HZ |
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